Devrimsel 3D X-DRAM bellek teknolojisi duyuruldu: 4TB RAM’lere hazır olun! (2. sayfa)

Metin Yasir Akpınar · 2023-05-09T11:30:39.0000000+03:00

[html] San Jose merkezli NEO Semiconductor , 3D istifleme teknolojisi ile DRAM yonga yoğunluğunu artırmaya yönelik çığır açıcı bir çözüm olarak adlandırdığı teknoloji piyasaya süryor. Yeni bellek yongaları DRAM kapasitesini büyük ölçüde artırırken düşük maliyetiyle dikkat çekiyor. Firmaya göre geliştirdikleri 3D X-DRAM teknolojisi sayesinde DRAM'in kapasite darboğazı çözülecek. SSD'lerden ilham alındı NEO Semiconductor, 3D X-DRAM'in DRAM bellek için dünyanın ilk 3D NAND benzeri teknolojisi olduğunu, DRAM'in kapasite darboğazını çözmek için geliştirilen bir çözüm olduğunu ve "tüm 2D DRAM pazarının" yerini alacağını söylüyor. Şirket, çözümünün rakip ürünlerden daha iyi olduğunu, çünkü bugün piyasadaki diğer seçeneklerden çok daha kullanışlı olduğunu belirtiyor. Firma, 3D NAND teknolojilerinden (SSD’lerde kullanılan) ilham alarak 3D X-DRAM teknolojisini geliştirdiğini aktarıyor. Yeni belleklerin üretiminin ise mevcut altyapılar ile gerçekleştirileceği de belirtiliyor. 4 TB RAM'ler geliyor Şirketin yol haritasına göre 3D X-DRAM ile 2030 yılına kadar 1Tb (1 terabit) entegre devrelere ulaşılacak. 1Tb entegre devreler, tek bir RAM’de rahatlıkla 2 TB kapasiteleri mümkün kılıyor -her bir tarafında 8 yonga bulunan RAM’ler ile birlikte. Eğer 32 entegre yongaya sahip RAM’ler yapılmak istenirse bu kapasite 4 TB seviyelerine kadar çıkabilecek. Elbette 4 TB bellek sıradan bir kullanıcının ihtiyacı olan bir şey değil ancak bilginin verilerden ibaret olduğu ve her yıl inanılmaz düzeyde dijital bilginin üretildiğini düşünürsek yeni RAM’ler sunucular için devrim yaratabilir. Ayrıca Bkz. Samsung, beş yıl içinde TSMC’yi geçmeyi planlıyor NEO Semiconductor, 3D X-DRAM'in kapasitörsüz yüzen gövde hücre teknolojisine dayanan 3D NAND benzeri bir DRAM hücre dizisi yapısı kullandığını söylüyor. Bu hücre yapısı, süreçteki adım sayısını basitleştirerek 3D sistem belleği üretimi için "yüksek hızlı, yüksek yoğunluklu, düşük maliyetli ve yüksek verimli bir çözüm" sağlıyor. NEO Semiconductor, yeni 3D X-DRAM teknolojisinin 230 katmanla 128 Gb yoğunluğa ulaşabileceğini tahmin ediyor ki bu da günümüzün DRAM yoğunluğundan 8 kat daha büyük. Kaynak: https://www.techspot.com/news/98602-neo-semiconductor-launches-3d-x-dram-world-first.html Kaynak: https://neosemic.com/neo-semiconductor-launches-ground-breaking-3d-x-dram-technology-a-game-changer-in-the-memory-industry/ [/html]

Sıcak Fırsatlarda Tıklananlar

Editörün Seçtiği Fırsatlar

Puma Puma UP V PS Unisex Yetişkin Spor Ayakkabı : Amazon.com.tr: Moda https://www.amazon.com.tr/dp/B0B87Q2RNV 17 sa. önce paylaşıldı

Soundcore by Anker, Life Q30 Bluetooth Kablosuz Kulak Üstü Kulaklık, Hibrit Aktif Gürültü Önleyici ANC, 40 Saat Çalma, Midnight Blue (A3028) : Amazon.com.tr: Elektronik https://www.amazon.com.tr/dp/B09FTL8N7H?th=1 dün paylaşıldı

Eti Puf Kakaolu Bisküvi 18 g x 48 Adet : Amazon.com.tr https://www.amazon.com.tr/dp/B08YJT2164 geçen yıl paylaşıldı

Daha Fazla

Bu Konudaki Kullanıcılar: Daha Az

2 Misafir - 2 Masaüstü

5 sn

27
Cevap

0
Favori

770
Tıklama

Daha Fazla
İstatistik

Konu İstatistikleri Yükleniyor

Konuya Özel

8 oy

Öne Çıkar

Cevapla

Sayfa:

önceki 1 2

Giriş

Mesaj

Halikarnas Şakşakçısı

Binbaşı

1584 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

dreamblue35 D kullanıcısına yanıt

dreamblue35

Yarbay

3912 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

Halikarnas Şakşakçısı

kullanıcısına yanıt

Halikarnas Şakşakçısı

Binbaşı

1584 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

sniper23

Yarbay

10639 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

Sayfa:

önceki 1 2

Ip işlemleri

Bu mesaj IP'si ile atılan mesajları ara Bu kullanıcının son IP'si ile atılan mesajları ara Bu mesaj IP'si ile kullanıcı ara Bu kullanıcının son IP'si ile kullanıcı ara

KAPAT X

%40
Kazan

%2,8
Kazan

%5
Kazan

%6,8
Kazan

%1,6
Kazan

%3,2
Kazan

%5,5
Kazan

%1,2
Kazan

%5
Kazan

%3,2
Kazan

%6,4
Kazan

%2
Kazan

Alışveriş Yaptıkça Para Kazan Harekete Geç »