Samsung, bellek alanında dünya lideri olmaya devam edecek

Metin Yasir Akpınar · 2023-08-20T21:30:27.0000000+03:00

[html] Yarı iletkenler alanındaki rekabet duracak gibi görünmüyor. Bu ayın başlarında SK Hynix , dünyanın ilk 321 katmanlı NAND flash belleğini duyurmuştu. Ciddi iyileştirmeler içeren bu yeni NAND flaş belleğin 2025 yılında seri üretime geçmesi planlanıyordu. Şimdi en azından Güney Kore'den gelen haberlere göre Samsung , benzer bir belleğin üretimine çok daha erken başlayacak gibi görünüyor. Samsung, rakibinin 1 yıl önünde Kore kaynaklı haberlere göre Samsung, 300’den daha fazla katmana sahip NAND Flash yarışında SK Hynix'i geçmeye hazırlanıyor gibi görünüyor. Belirtilenlere göre Samsung, 300+ katmanlı V-NAND (3D NAND) üretimine 2024 yılında geçecek. Dolayısıyla teknoloji devi rakibinin neredeyse 1 yıl kadar önüne geçmiş olacak. Halihazırda ise Samsung, 236 katmanlı NAND bellekler üretiyor. Firmanın bu ürünü Micron ve YMTC'den dört adet daha fazla katman sunuyor fakat SK Hynix'ten iki katman daha az yığına sahip. Kore basınında dikkat çeken bazı ayrıntılar da var. SK Hynix , kendi çözümünde üçlü yığın tekniğine yönelirken Samsung, çift yığın uygulamasını kullanacak. Bu, Samsung'un yığın başına 150'den fazla NAND katmanı hedeflediği anlamına geliyor ki bu da verim söz konusu olduğunda alınması gereken büyük bir risk gibi görünüyor. Yığınlar ne kadar uzun olursa, başarısız bir yığın olasılığı o kadar artar, ancak belki de Samsung bu potansiyel sorun için bir çözüm bulmuştur. Ayrıca Bkz. SK Hynix dünyanın ilk 321 katmanlı NAND flash belleğini duyurdu Modern 3D NAND bellekler, dikey bir elektrik bağlantısı olan Through Silicon Vias’a (TSV) dayandığından geçmişe kıyasla daha yoğun bellek yığınları üretmek daha kolay ancak yine de Samsung’un almış olduğu risk büyük. Bununla birlikte, mevcut düşük talep ve üretimde daha fazla kesinti haberleri göz önüne alındığında, Samsung'un bu yeni, daha yoğun istiflenmiş NAND'ı test etmek için fabrikalarını kullanması mantıklı görünüyor. Samsung'un yol haritası 2030'a kadar 1000'den fazla katmanlı bir V-NAND ürünü gerektiriyor, ancak bu yol hala uzun ve karmaşık gibi görünüyor. Kaynak: https://www.techpowerup.com/312571/samsung-said-to-produce-300-layer-v-nand-in-2024 [/html]

Sıcak Fırsatlarda Tıklananlar

Editörün Seçtiği Fırsatlar

Carrera Erkek 279/S Güneş Gözlüğü, Siyah, 56 : Amazon.com.tr: Oyuncak https://www.amazon.com.tr/dp/B09WH3NGXX 5 sa. önce paylaşıldı

Polaroid Erkek PLD 2098/S Güneş Gözlüğü, Siyah, 56 : Amazon.com.tr: Moda https://www.amazon.com.tr/dp/B08K2HRD9Z 5 sa. önce paylaşıldı

HUGO BOSS Erkek 1439/S Güneş Gözlüğü, Siyah, 58 : Amazon.com.tr: Moda https://www.amazon.com.tr/dp/B0BFR6T2L1 5 sa. önce paylaşıldı

Daha Fazla

Bu Konudaki Kullanıcılar: Daha Az

2 Misafir - 2 Masaüstü

5 sn

4
Cevap

2
Favori

226
Tıklama

Daha Fazla
İstatistik

Konu İstatistikleri Yükleniyor

Konuya Özel

0 oy

Öne Çıkar

Cevapla

Sayfa: 1

Giriş

Mesaj

Metin Yasir Akpınar

Haber Editörü

5324 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

ANASAYFA GÖRÜNÜMÜNE GEÇ

Yarı iletkenler alanındaki rekabet duracak gibi görünmüyor. Bu ayın başlarında **SK Hynix**, dünyanın ilk **321 katmanlı NAND** flash belleğini duyurmuştu. Ciddi iyileştirmeler içeren bu yeni NAND flaş belleğin **2025** yılında seri üretime geçmesi planlanıyordu. Şimdi en azından Güney Kore'den gelen haberlere göre **Samsung**, benzer bir belleğin üretimine **çok daha erken** başlayacak gibi görünüyor.

Samsung, rakibinin 1 yıl önünde

Kore kaynaklı haberlere göre Samsung, 300’den daha fazla katmana sahip NAND Flash yarışında SK Hynix'i geçmeye hazırlanıyor gibi görünüyor. Belirtilenlere göre Samsung, 300+ katmanlı V-NAND (3D NAND) üretimine 2024 yılında geçecek. Dolayısıyla teknoloji devi rakibinin neredeyse 1 yıl kadar önüne geçmiş olacak. Halihazırda ise Samsung, 236 katmanlı NAND bellekler üretiyor. Firmanın bu ürünü Micron ve YMTC'den dört adet daha fazla katman sunuyor fakat SK Hynix'ten iki katman daha az yığına sahip.

Kore basınında dikkat çeken bazı ayrıntılar da var. **SK Hynix**, kendi çözümünde **üçlü yığın** tekniğine yönelirken Samsung, **çift yığın** uygulamasını kullanacak. Bu, Samsung'un yığın başına 150'den fazla NAND katmanı hedeflediği anlamına geliyor ki bu da verim söz konusu olduğunda alınması gereken büyük bir risk gibi görünüyor. Yığınlar ne kadar uzun olursa, başarısız bir yığın olasılığı o kadar artar, ancak belki de Samsung bu potansiyel sorun için bir çözüm bulmuştur.

Ayrıca Bkz.SK Hynix dünyanın ilk 321 katmanlı NAND flash belleğini duyurdu

Modern 3D NAND bellekler, dikey bir elektrik bağlantısı olan Through Silicon Vias’a (TSV) dayandığından geçmişe kıyasla daha yoğun bellek yığınları üretmek daha kolay ancak yine de Samsung’un almış olduğu risk büyük. Bununla birlikte, mevcut düşük talep ve üretimde daha fazla kesinti haberleri göz önüne alındığında, Samsung'un bu yeni, daha yoğun istiflenmiş NAND'ı test etmek için fabrikalarını kullanması mantıklı görünüyor. Samsung'un yol haritası 2030'a kadar 1000'den fazla katmanlı bir V-NAND ürünü gerektiriyor, ancak bu yol hala uzun ve karmaşık gibi görünüyor.

Kaynak:https://www.techpowerup.com/312571/samsung-said-to-produce-300-layer-v-nand-in-2024

mehmet_clk

Binbaşı

1857 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

Bloody Roar

Yüzbaşı

925 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

Sayfa: 1

Benzer içerikler

Ip işlemleri

Bu mesaj IP'si ile atılan mesajları ara Bu kullanıcının son IP'si ile atılan mesajları ara Bu mesaj IP'si ile kullanıcı ara Bu kullanıcının son IP'si ile kullanıcı ara

KAPAT X

%40
Kazan

%2,8
Kazan

%5
Kazan

%6,8
Kazan

%1,6
Kazan

%3,2
Kazan

%5,5
Kazan

%1,2
Kazan

%5
Kazan

%3,2
Kazan

%6,4
Kazan

%2
Kazan

Alışveriş Yaptıkça Para Kazan Harekete Geç »